Banca de QUALIFICAÇÃO: GABRIEL DO CARMO DANTAS

Uma banca de QUALIFICAÇÃO de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE : GABRIEL DO CARMO DANTAS
DATA : 08/11/2024
HORA: 14:00
LOCAL: Predio DCNat, Bloco C, sala 3.14, Campus Dom Bosco
TÍTULO:

Propriedades Estruturais e Eletrônicas das Interfaces Interplanares 2D dos sistemas MoS2/MoSe2, MoS2/h-BN e MoSe2/h-BN

PALAVRAS-CHAVES:

Materiais 2D; MoS2; MoSe2; h-BN; Alinhamento de Banda; Optoeletrônicos

PÁGINAS: null
RESUMO:

Este trabalho investiga as propriedades estruturais e eletrônicas das interfaces 2D formadas pelos sistemas MoS2/MoSe2, MoS2/h-BN e MoSe2/h-BN. O estudo foi motivado pelo crescente interesse em materiais bidimensionais devido ao seu potencial para aplicações em dispositivos optoeletrônicos, como transistores de efeito de campo e células solares. Utilizamos cálculos baseados na Teoria do Funcional da Densidade (DFT), com a inclusão de correções de van der Waals, para analisar as interações interplanares e as características das heteroestruturas, como o alinhamento de bandas e band offsets. Os resultados indicam que os politipos 1H, 2Ha e 2Hb são classificados como semicondutores do tipo III, ou broken gap, onde a banda de condução do MoSe2 sobrepõe-se à banda de valência do MoS2, facilitando a condução eficiente de elétrons. Por outro lado, o politipo 2Hc é classificado como semicondutor do tipo II, ou staggered, onde as bandas estão desalinhadas, promovendo a separação eficiente de cargas. Ambos os tipos são promissores para dispositivos optoeletrônicos avançados, mas o tipo II destaca-se em aplicações que requerem separação eficaz de portadores de carga, como células solares e LEDs, enquanto o tipo III favorece condições para alta condutividade elétrica.

MEMBROS DA BANCA:
Presidente - 1716159 - JANDER PEREIRA DOS SANTOS
Interno - 1527524 - WAGNER SOUZA MACHADO
Interno - 1719870 - JUAN CARLOS PAREDES CAMPOY
Externa ao Programa - 1781565 - THALITA CHIARAMONTE
Externo à Instituição - GUILHERME MATOS SIPAHI