Estudo das Propriedades Elétricas de Nanofios Semicondutores de ZnO, SnO e ZnO dopado com Sn
nanofios semicondutores; ZnO; SnO; ZnO:Sn; KPFM; propriedades eletrônicas.
Neste trabalho, foram estudadas as propriedades morfológicas e elétricas de nanofios (NFs) semicondutores de ZnO, ZnO dopado com estanho (ZnO:Sn) e SnO, crescidos sobre substratos de silício por deposição química em fase de vapor (CVD). As caracterizações morfológicas e eletrônicas foram realizadas por Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV), Microscopia de Força Atômica (AFM) e Microscopia de Força de Sonda Kelvin (KPFM), visando compreender a influência da dopagem e da composição química nas propriedades de superfície e na função trabalho dessas nanoestruturas. Os resultados mostraram que a dopagem com Sn modifica a morfologia e as propriedades eletrônicas dos NFs de ZnO, reduzindo a função trabalho e alterando o potencial de superfície. Os NFs de SnO apresentaram morfologia mais irregular e comportamento parcialmente metálico, enquanto o ZnO-Sn exibiu características intermediárias, evidenciando um equilíbrio entre ordem cristalina e perturbações locais. Tais resultados destacam o potencial desses materiais para aplicação em sensores e dispositivos optoeletrônicos.